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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件
(
2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件
(
2020年:第290位 95件)
(ランキング更新日:2026年2月13日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2021-194733 | ワークの両面研磨方法、ワークの製造方法、及びワークの両面研磨装置 | 2021年12月27日 | |
| 特開 2021-196190 | 分析容器、半導体試料の分析方法および半導体基板の製造方法 | 2021年12月27日 | |
| 特開 2021-192932 | ウェーハ外周部の研磨装置 | 2021年12月23日 | |
| 特開 2021-193339 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2021年12月23日 | |
| 特開 2021-187718 | 半導体結晶製造装置の管理方法、半導体結晶の製造方法、及び半導体結晶製造管理システム | 2021年12月13日 | |
| 特開 2021-190521 | シリコンウェーハおよびシリコンウェーハの製造方法 | 2021年12月13日 | |
| 特開 2021-190660 | 貼り合わせウェーハ用の支持基板 | 2021年12月13日 | |
| 特開 2021-185127 | 石英ガラスルツボ | 2021年12月 9日 | |
| 特開 2021-183563 | シリコンウェーハ | 2021年12月 2日 | |
| 特開 2021-175968 | 試料導入装置、誘導結合プラズマ分析装置および分析方法 | 2021年11月 4日 | |
| 特開 2021-175969 | 試料導入装置、誘導結合プラズマ分析装置および分析方法 | 2021年11月 4日 | |
| 特開 2021-174807 | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年11月 1日 | |
| 再表 2020-137441 | 熱処理炉の前処理条件の決定方法、熱処理炉の前処理方法、熱処理装置ならびに熱処理された半導体ウェーハの製造方法および製造装置 | 2021年10月21日 | |
| 再表 2020-137647 | 石英ガラスルツボ | 2021年10月21日 | |
| 再表 2020-137648 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法並びに石英ガラスルツボの赤外線透過率測定方法及び製造方法 | 2021年10月21日 |
101 件中 1-15 件を表示
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2021-194733 2021-196190 2021-192932 2021-193339 2021-187718 2021-190521 2021-190660 2021-185127 2021-183563 2021-175968 2021-175969 2021-174807 2020-137441 2020-137647 2020-137648
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