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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件 (2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件 (2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-108765 | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-108745 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-108791 | シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-105526 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-107882 | シリコンウェーハの工程計画立案システム、工程計画立案方法及びプログラム | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-109047 | SIMOXウェーハの製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-103379 | ウェーハの平坦化加工方法 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-101930 | 仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびシリコンウェーハの表面平坦化装置 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103354 | 半導体ウェーハの裏面粗さ評価方法及び評価装置 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103409 | ウェーハ貼り合わせ方法 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-100996 | 半導体基板内部の重金属の除去方法 | 2011年 5月19日 | |
特開 2011-100978 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 | 2011年 5月19日 | |
特開 2011-96979 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2011年 5月12日 | |
特開 2011-91143 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 5月 6日 | |
特開 2011-91296 | 半導体ウェーハの研磨方法 | 2011年 5月 6日 |
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2011-108765 2011-108745 2011-108791 2011-105526 2011-107882 2011-109047 2011-103379 2011-101930 2011-103354 2011-103409 2011-100996 2011-100978 2011-96979 2011-91143 2011-91296
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11月25日(月) -
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11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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