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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件 (2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件 (2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4844127 | 単結晶製造装置および製造方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4844101 | 半導体装置の評価方法および半導体装置の製造方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4835069 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年12月14日 | |
特許 4835175 | ウェーハの枚葉式エッチング方法 | 2011年12月14日 | |
特許 4831216 | ウェーハ表面処理方法 | 2011年12月 7日 | |
特許 4828230 | SOIウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4820801 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年11月24日 | |
特許 4821179 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年11月24日 | |
特許 4815766 | シリコン単結晶製造装置及び製造方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4817078 | シリコンウェーハ | 2011年11月16日 | |
特許 4816229 | ウェーハの枚葉式エッチング装置 | 2011年11月16日 | |
特許 4807130 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4806974 | シリコン単結晶育成方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4806975 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年11月 2日 | |
特許 4801869 | 単結晶成長方法 | 2011年10月26日 |
79 件中 1-15 件を表示
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4844127 4844101 4835069 4835175 4831216 4828230 4820801 4821179 4815766 4817078 4816229 4807130 4806974 4806975 4801869
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