信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-246218 | シリコン単結晶ウェーハおよびシリコン単結晶の製造方法 | 2012年12月13日 | |
| 特開 2012-248739 | 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ | 2012年12月13日 | |
| 特開 2012-248756 | 気相成長方法及び発光素子用基板の製造方法 | 2012年12月13日 | |
| 特開 2012-245584 | 研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法及びワークの研磨方法 | 2012年12月13日 | |
| 特開 2012-243957 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2012年12月10日 | |
| 特開 2012-237602 | ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法 | 2012年12月 6日 | |
| 特開 2012-238712 | 基板の一部に絶縁層を有する貼り合わせ基板の製造方法 | 2012年12月 6日 | |
| 特開 2012-232859 | 誘導加熱コイルにおける放電防止用絶縁部材及びこれを用いた単結晶製造装置並びに単結晶製造方法 | 2012年11月29日 | |
| 特開 2012-231005 | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | 2012年11月22日 | |
| 特開 2012-227385 | エピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-223838 | 両頭研削方法及び両頭研削装置 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-223862 | ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-227216 | ウェーハの電気特性測定方法 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-227471 | 偏心量の評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-224522 | 複巻誘導加熱コイル及びこれを有する単結晶製造装置並びにこれを用いた単結晶製造方法 | 2012年11月15日 |
100 件中 1-15 件を表示
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2012-246218 2012-248739 2012-248756 2012-245584 2012-243957 2012-237602 2012-238712 2012-232859 2012-231005 2012-227385 2012-223838 2012-223862 2012-227216 2012-227471 2012-224522
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