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信越半導体株式会社

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  2018年 出願公開件数ランキング    第424位 80件 下降2017年:第368位 116件)

  2018年 特許取得件数ランキング    第275位 105件 下降2017年:第265位 112件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2018-199585 単結晶の製造方法 2018年12月20日
再表 2017-145199 半導体基体及び半導体装置 2018年12月 6日
特開 2018-195641 シリコンウエーハの研磨方法 2018年12月 6日
特開 2018-186118 シリコンウエーハの研磨方法 2018年11月22日
特開 2018-186164 貼り合わせウェーハの製造方法 2018年11月22日
特開 2018-186195 シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 2018年11月22日
特開 2018-176301 ワークの切断方法 2018年11月15日
特開 2018-176393 ウェーハの両面研磨方法および両面研磨装置 2018年11月15日
特開 2018-182160 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法 2018年11月15日
特開 2018-170366 半導体ウェーハの洗浄方法 2018年11月 1日
特開 2018-163951 半導体単結晶基板の結晶欠陥検出方法 2018年10月18日
特開 2018-164006 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハ 2018年10月18日
特開 2018-157009 シリコン中の炭素検出方法 2018年10月 4日
特開 2018-157058 エピタキシャル基板及び半導体素子 2018年10月 4日
特開 2018-157138 エピタキシャルウェーハの製造方法 2018年10月 4日

83 件中 1-15 件を表示

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2018-199585 2017-145199 2018-195641 2018-186118 2018-186164 2018-186195 2018-176301 2018-176393 2018-182160 2018-170366 2018-163951 2018-164006 2018-157009 2018-157058 2018-157138

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