信越半導体株式会社
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年6月5日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2018-199585 | 単結晶の製造方法 | 2018年12月20日 | |
| 再表 2017-145199 | 半導体基体及び半導体装置 | 2018年12月 6日 | |
| 特開 2018-195641 | シリコンウエーハの研磨方法 | 2018年12月 6日 | |
| 特開 2018-186118 | シリコンウエーハの研磨方法 | 2018年11月22日 | |
| 特開 2018-186164 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2018年11月22日 | |
| 特開 2018-186195 | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 | 2018年11月22日 | |
| 特開 2018-176301 | ワークの切断方法 | 2018年11月15日 | |
| 特開 2018-176393 | ウェーハの両面研磨方法および両面研磨装置 | 2018年11月15日 | |
| 特開 2018-182160 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法 | 2018年11月15日 | |
| 特開 2018-170366 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2018年11月 1日 | |
| 特開 2018-163951 | 半導体単結晶基板の結晶欠陥検出方法 | 2018年10月18日 | |
| 特開 2018-164006 | 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハ | 2018年10月18日 | |
| 特開 2018-157009 | シリコン中の炭素検出方法 | 2018年10月 4日 | |
| 特開 2018-157058 | エピタキシャル基板及び半導体素子 | 2018年10月 4日 | |
| 特開 2018-157138 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年10月 4日 |
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2018-199585 2017-145199 2018-195641 2018-186118 2018-186164 2018-186195 2018-176301 2018-176393 2018-182160 2018-170366 2018-163951 2018-164006 2018-157009 2018-157058 2018-157138
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