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信越半導体株式会社

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 ■ 2015年 出願公開件数ランキング    第311位 119件 (上昇2014年:第313位 122件)

 ■ 2015年 特許取得件数ランキング    第308位 89件 (下降2014年:第258位 155件)

(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2015-233062 半導体基板の評価方法及び半導体基板の加工方法 2015年12月24日
特開 2015-233040 基板収納容器の評価方法 2015年12月24日
特開 2015-232450 膜厚の測定方法及び膜厚測定装置 2015年12月24日
特開 2015-228432 SOIウェーハの製造方法及び貼り合わせSOIウェーハ 2015年12月17日
特開 2015-223674 固定砥粒ワイヤ及びワイヤソー並びにワークの切断方法 2015年12月14日
特開 2015-220296 汚染評価方法 2015年12月 7日
特開 2015-220284 ウエーハの洗浄方法 2015年12月 7日
特開 2015-220257 SOI基板の評価方法 2015年12月 7日
特開 2015-218076 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 2015年12月 7日
特開 2015-216325 半導体基板の評価方法 2015年12月 3日
特開 2015-214466 サファイア単結晶の製造方法 2015年12月 3日
特開 2015-214460 シリコン単結晶の育成方法 2015年12月 3日
特開 2015-213099 ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 2015年11月26日
特開 2015-213102 エピタキシャルウェーハの製造方法 2015年11月26日
特開 2015-213120 ウェーハの加工方法 2015年11月26日

123 件中 1-15 件を表示

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2015-233062 2015-233040 2015-232450 2015-228432 2015-223674 2015-220296 2015-220284 2015-220257 2015-218076 2015-216325 2015-214466 2015-214460 2015-213099 2015-213102 2015-213120

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