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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2019-218238	炭化珪素単結晶成長装置及び炭化珪素単結晶の製造方法	2019年12月26日
特開 2019-216222	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ	2019年12月19日
特開 2019-214488	シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法	2019年12月19日
特開 2019-212875	発光素子及び発光素子の製造方法	2019年12月12日
特開 2019-212865	ゲッタリング層の形成方法及びシリコンウェーハ	2019年12月12日
特開 2019-212834	発光素子及びその製造方法	2019年12月12日
特開 2019-210524	陽極酸化装置、陽極酸化方法及び陽極酸化装置の陰極の製造方法	2019年12月12日
特開 2019-210163	原料結晶棒の固定方法、半導体単結晶の製造方法及び原料結晶棒用包装材	2019年12月12日
特開 2019-207923	シリコンウェーハの洗浄方法	2019年12月 5日
特開 2019-206451	シリコン単結晶の製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ及びシリコン単結晶基板	2019年12月 5日
特開 2019-204842	発光素子の製造方法	2019年11月28日
特開 2019-202913	原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法	2019年11月28日
特開 2019-204912	評価方法	2019年11月28日
特開 2019-200102	サンプル作製方法、欠陥観察方法	2019年11月21日
特開 2019-198917	インゴットの切断方法及びワイヤーソー	2019年11月21日

93 件中 1-15 件を表示

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2019-218238 2019-216222 2019-214488 2019-212875 2019-212865 2019-212834 2019-210524 2019-210163 2019-207923 2019-206451 2019-204842 2019-202913 2019-204912 2019-200102 2019-198917

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