特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2019年出願公開件数ランキング　　　第396位　96件（2018年：第424位　80件）

　■　2019年特許取得件数ランキング　　　第322位　84件（2018年：第275位　105件）

（ランキング更新日：2024年11月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2019-218238	炭化珪素単結晶成長装置及び炭化珪素単結晶の製造方法	2019年12月26日
特開 2019-214488	シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法	2019年12月19日
特開 2019-216222	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ	2019年12月19日
特開 2019-210163	原料結晶棒の固定方法、半導体単結晶の製造方法及び原料結晶棒用包装材	2019年12月12日
特開 2019-210524	陽極酸化装置、陽極酸化方法及び陽極酸化装置の陰極の製造方法	2019年12月12日
特開 2019-212834	発光素子及びその製造方法	2019年12月12日
特開 2019-212865	ゲッタリング層の形成方法及びシリコンウェーハ	2019年12月12日
特開 2019-212875	発光素子及び発光素子の製造方法	2019年12月12日
特開 2019-206451	シリコン単結晶の製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ及びシリコン単結晶基板	2019年12月 5日
特開 2019-207923	シリコンウェーハの洗浄方法	2019年12月 5日
特開 2019-202913	原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法	2019年11月28日
特開 2019-204842	発光素子の製造方法	2019年11月28日
特開 2019-204912	評価方法	2019年11月28日
特開 2019-198917	インゴットの切断方法及びワイヤーソー	2019年11月21日
特開 2019-200102	サンプル作製方法、欠陥観察方法	2019年11月21日

96 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2019-218238 2019-214488 2019-216222 2019-210163 2019-210524 2019-212834 2019-212865 2019-212875 2019-206451 2019-207923 2019-202913 2019-204842 2019-204912 2019-198917 2019-200102

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数