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信越半導体株式会社

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  2023年 出願公開件数ランキング    第386位 87件 上昇2022年:第428位 76件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第364位 86件 上昇2022年:第392位 75件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2023-184044 半導体ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハ 2023年12月28日
特開 2023-184253 シリコン単結晶の製造方法 2023年12月28日
特開 2023-182034 ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 2023年12月26日
特開 2023-182155 エピタキシャルウェーハの製造方法 2023年12月26日
特開 2023-177967 単結晶シリコンウェーハのドライエッチング方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、及び単結晶シリコンウェーハ 2023年12月14日
特開 2023-176764 抵抗率測定方法 2023年12月13日
特開 2023-173377 円筒研削機 2023年12月 7日
特開 2023-173451 ワークの切断方法、スライス装置及びスライスベース 2023年12月 7日
特開 2023-174446 電子デバイス用基板及びその製造方法 2023年12月 7日
特開 2023-172169 研削ウェーハの製造方法及びウェーハの製造方法 2023年12月 6日
特開 2023-172356 シリコン単結晶基板の評価方法 2023年12月 6日
特開 2023-172785 ピンホール測定装置用の標準サンプル、ピンホール測定装置用の標準サンプルの製造方法、及びピンホールの測定方法 2023年12月 6日
特開 2023-170676 抵抗率測定装置及び抵抗率測定方法 2023年12月 1日
特開 2023-169790 シリコンウェーハの熱処理方法 2023年11月30日
特開 2023-167038 両面研磨方法 2023年11月24日

87 件中 1-15 件を表示

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2023-184044 2023-184253 2023-182034 2023-182155 2023-177967 2023-176764 2023-173377 2023-173451 2023-174446 2023-172169 2023-172356 2023-172785 2023-170676 2023-169790 2023-167038

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