信越半導体株式会社
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（
2025年：第527位 52件）
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第643位 8件
（2025年：第397位 65件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-46480 | 炭素ドープシリコンエピタキシャル層含有基板及びその製造方法 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-37566 | ＳｉＧｅ基板の表面欠陥の評価方法 | 2026年 3月 6日 | |
| 特開 2026-35096 | シリセン層含有シリコン基板及びその作製方法 | 2026年 3月 4日 | |
| 特開 2026-35098 | シリセン層含有シリコン基板及びその作製方法 | 2026年 3月 4日 | |
| 特開 2026-32790 | 表面欠陥検査装置の管理方法および標準ウェーハ | 2026年 2月27日 | |
| 特開 2026-27916 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法および半導体デバイスの製造方法 | 2026年 2月19日 | |
| 特開 2026-11783 | シリコン原料の洗浄方法及びシリコン原料の洗浄装置 | 2026年 1月23日 | |
| 特開 2026-10556 | エピタキシャルウェーハ | 2026年 1月22日 | |
| 特開 2026-2082 | 表面形状予測方法及びウェーハの加工方法 | 2026年 1月 8日 |
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2026-46480 2026-37566 2026-35096 2026-35098 2026-32790 2026-27916 2026-11783 2026-10556 2026-2082
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