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信越半導体株式会社

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  2024年 出願公開件数ランキング    第550位 47件 下降2023年:第386位 87件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第395位 67件 下降2023年:第364位 86件)

(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2024-157760 機械加工用ダイヤモンド工具の検査方法、及び、機械加工用ダイヤモンド工具の性能評価方法 2024年11月 8日
特開 2024-149047 ノッチのベベル部の表面粗さの測定方法 2024年10月18日
特開 2024-148101 研磨布の洗浄方法 2024年10月17日
特開 2024-140298 欠陥領域の判定方法 2024年10月10日
特開 2024-137131 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体装置 2024年10月 7日
特開 2024-134795 エピタキシャルウェーハ及びSOIウェーハ並びにそれらの製造方法 2024年10月 4日
特開 2024-130800 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体装置 2024年 9月30日
特開 2024-131000 半導体基板の欠陥評価方法 2024年 9月30日
特開 2024-131435 両面研磨方法及び両面研磨装置 2024年 9月30日
特開 2024-126891 ダイヤモンドの熱伝導率の評価法 2024年 9月20日
特開 2024-119415 エピタキシャル基板の評価方法 2024年 9月 3日
特開 2024-118022 両面研磨方法、両面研磨装置用キャリア、及び両面研磨装置 2024年 8月30日
特開 2024-118347 ウェーハの製造方法 2024年 8月30日
特開 2024-114516 シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法 2024年 8月23日
特開 2024-112635 基板の微小欠陥の検出方法 2024年 8月21日

47 件中 1-15 件を表示

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2024-157760 2024-149047 2024-148101 2024-140298 2024-137131 2024-134795 2024-130800 2024-131000 2024-131435 2024-126891 2024-119415 2024-118022 2024-118347 2024-114516 2024-112635

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