信越半導体株式会社
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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第428位 76件
（
2021年：第437位 79件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第392位 75件
（
2021年：第359位 73件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2022-190999 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法及び半導体装置の製造方法 | 2022年12月27日 | |
| 特開 2022-190408 | 単結晶引上げ装置 | 2022年12月26日 | |
| 特開 2022-187552 | ウェーハマーキング方法及び窒化物半導体デバイスの製造方法並びに窒化物半導体基板 | 2022年12月20日 | |
| 特開 2022-184372 | 両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハ | 2022年12月13日 | |
| 特開 2022-184377 | フロートメータ読取プログラム、フロートメータ読取装置及びフロートメータ読取方法 | 2022年12月13日 | |
| 特開 2022-182823 | 単結晶製造装置 | 2022年12月 8日 | |
| 特開 2022-178347 | テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 | 2022年12月 2日 | |
| 特開 2022-178384 | シリコンウェーハの製造方法 | 2022年12月 2日 | |
| 特開 2022-176545 | 洗浄処理装置 | 2022年11月30日 | |
| 特開 2022-175082 | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | 2022年11月25日 | |
| 特開 2022-175481 | シリコンウエーハの強度の評価方法 | 2022年11月25日 | |
| 特開 2022-174458 | ウェーハ形状測定器の評価方法 | 2022年11月24日 | |
| 特開 2022-172822 | ウェーハの製造方法 | 2022年11月17日 | |
| 特開 2022-170818 | 環境雰囲気中のアルカリイオン濃度の評価方法 | 2022年11月11日 | |
| 特開 2022-168623 | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及び単結晶ダイヤモンド基板 | 2022年11月 8日 |
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2022-190999 2022-190408 2022-187552 2022-184372 2022-184377 2022-182823 2022-178347 2022-178384 2022-176545 2022-175082 2022-175481 2022-174458 2022-172822 2022-170818 2022-168623
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