特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2022年出願公開件数ランキング　　　第428位　76件（2021年：第437位　79件）

　■　2022年特許取得件数ランキング　　　第392位　75件（2021年：第359位　73件）

（ランキング更新日：2025年2月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2022-190999	半導体基板の熱酸化膜形成方法及び半導体装置の製造方法	2022年12月27日
特開 2022-190408	単結晶引上げ装置	2022年12月26日
特開 2022-187552	ウェーハマーキング方法及び窒化物半導体デバイスの製造方法並びに窒化物半導体基板	2022年12月20日
特開 2022-184372	両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハ	2022年12月13日
特開 2022-184377	フロートメータ読取プログラム、フロートメータ読取装置及びフロートメータ読取方法	2022年12月13日
特開 2022-182823	単結晶製造装置	2022年12月 8日
特開 2022-178347	テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法	2022年12月 2日
特開 2022-178384	シリコンウェーハの製造方法	2022年12月 2日
特開 2022-176545	洗浄処理装置	2022年11月30日
特開 2022-175082	半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法	2022年11月25日
特開 2022-175481	シリコンウエーハの強度の評価方法	2022年11月25日
特開 2022-174458	ウェーハ形状測定器の評価方法	2022年11月24日
特開 2022-172822	ウェーハの製造方法	2022年11月17日
特開 2022-170818	環境雰囲気中のアルカリイオン濃度の評価方法	2022年11月11日
特開 2022-168623	単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及び単結晶ダイヤモンド基板	2022年11月 8日

81 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2022-190999 2022-190408 2022-187552 2022-184372 2022-184377 2022-182823 2022-178347 2022-178384 2022-176545 2022-175082 2022-175481 2022-174458 2022-172822 2022-170818 2022-168623

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数