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信越半導体株式会社

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  2021年 出願公開件数ランキング    第437位 79件 上昇2020年:第459位 73件)

  2021年 特許取得件数ランキング    第359位 73件 上昇2020年:第364位 72件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2021-195299 III族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法 2021年12月27日
特開 2021-197452 シリコン試料中の酸素濃度測定方法 2021年12月27日
特開 2021-193721 SOI基板及びSOI基板の製造方法 2021年12月23日
特開 2021-186959 研磨ヘッド及びウェーハの片面研磨方法 2021年12月13日
特開 2021-190492 シリコンウェーハのエッチング方法 2021年12月13日
特開 2021-190667 高周波半導体装置の製造方法及び高周波半導体装置 2021年12月13日
特開 2021-184417 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ 2021年12月 2日
特開 2021-181138 両面研磨装置の研磨パッド貼り付け方法 2021年11月25日
特開 2021-182586 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 2021年11月25日
特開 2021-182615 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 2021年11月25日
特開 2021-178380 両面研磨方法 2021年11月18日
特開 2021-180213 シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 2021年11月18日
特開 2021-180225 半導体基板の製造方法、SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ 2021年11月18日
特開 2021-180271 エピタキシャル成長前処理条件の評価方法 2021年11月18日
特開 2021-176665 平面研削方法 2021年11月11日

80 件中 1-15 件を表示

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2021-195299 2021-197452 2021-193721 2021-186959 2021-190492 2021-190667 2021-184417 2021-181138 2021-182586 2021-182615 2021-178380 2021-180213 2021-180225 2021-180271 2021-176665

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