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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第437位 79件 (2020年:第459位 73件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第359位 73件 (2020年:第364位 72件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2021-195299 | III族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法 | 2021年12月27日 | |
特開 2021-197452 | シリコン試料中の酸素濃度測定方法 | 2021年12月27日 | |
特開 2021-193721 | SOI基板及びSOI基板の製造方法 | 2021年12月23日 | |
特開 2021-186959 | 研磨ヘッド及びウェーハの片面研磨方法 | 2021年12月13日 | |
特開 2021-190492 | シリコンウェーハのエッチング方法 | 2021年12月13日 | |
特開 2021-190667 | 高周波半導体装置の製造方法及び高周波半導体装置 | 2021年12月13日 | |
特開 2021-184417 | 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ | 2021年12月 2日 | |
特開 2021-181138 | 両面研磨装置の研磨パッド貼り付け方法 | 2021年11月25日 | |
特開 2021-182586 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2021年11月25日 | |
特開 2021-182615 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2021年11月25日 | |
特開 2021-178380 | 両面研磨方法 | 2021年11月18日 | |
特開 2021-180213 | シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 | 2021年11月18日 | |
特開 2021-180225 | 半導体基板の製造方法、SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ | 2021年11月18日 | |
特開 2021-180271 | エピタキシャル成長前処理条件の評価方法 | 2021年11月18日 | |
特開 2021-176665 | 平面研削方法 | 2021年11月11日 |
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2021-195299 2021-197452 2021-193721 2021-186959 2021-190492 2021-190667 2021-184417 2021-181138 2021-182586 2021-182615 2021-178380 2021-180213 2021-180225 2021-180271 2021-176665
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