特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第330位　120件（2010年：第311位　147件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第254位　138件（2010年：第270位　113件）

（ランキング更新日：2024年11月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2011-256086	半導体単結晶棒の製造方法	2011年12月22日
特開 2011-258895	エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年12月22日
特開 2011-253956	エピタキシャルウエーハの製造方法	2011年12月15日
特開 2011-253915	シリコンウェーハ	2011年12月15日
特開 2011-251877	エピタキシャルウエーハの製造方法	2011年12月15日
特開 2011-253893	化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板	2011年12月15日
特開 2011-253906	貼り合わせウェーハの製造方法	2011年12月15日
特開 2011-254015	化合物半導体膜気相成長用サセプタおよび化合物半導体膜の形成方法	2011年12月15日
特開 2011-249448	エピタキシャル成長装置	2011年12月 8日
特開 2011-249621	薄膜付ウェーハの評価方法	2011年12月 8日
特開 2011-240460	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2011年12月 1日
特開 2011-243845	シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法	2011年12月 1日
特開 2011-238758	ＳＯＩウェーハの製造方法	2011年11月24日
特開 2011-237313	透明基板の欠陥検査装置および透明基板の欠陥検査方法	2011年11月24日
特開 2011-236084	シリコン単結晶の不純物評価方法	2011年11月24日

120 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2011-256086 2011-258895 2011-253956 2011-253915 2011-251877 2011-253893 2011-253906 2011-254015 2011-249448 2011-249621 2011-240460 2011-243845 2011-238758 2011-237313 2011-236084

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数