信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-226584 | 自立基板の製造方法 | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-228686 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-228725 | 発光素子の製造方法及び発光素子 | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-224652 | シリコンウェーハの搬送・保管方法 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-224680 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-224695 | シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-218347 | 自立基板の製造方法 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-219409 | 半導体シリコンウェーハの表面欠陥検査方法 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-220503 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-220545 | シリコン単結晶ウェーハの抵抗率評価方法 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-220587 | シリコンウェーハの高感度欠陥評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-212268 | 単結晶インゴットの切断方法 | 2017年11月30日 | |
| 特開 2017-206396 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 | 2017年11月24日 | |
| 特開 2017-206400 | 単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法及び単結晶の製造方法 | 2017年11月24日 | |
| 特開 2017-206592 | フッ素樹脂成形品の製造方法 | 2017年11月24日 |
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2017-226584 2017-228686 2017-228725 2017-224652 2017-224680 2017-224695 2017-218347 2017-219409 2017-220503 2017-220545 2017-220587 2017-212268 2017-206396 2017-206400 2017-206592
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