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信越半導体株式会社

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　■　2017年特許取得件数ランキング　　　第265位　112件（2016年：第265位　122件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2017-226584	自立基板の製造方法	2017年12月28日
特開 2017-228686	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2017年12月28日
特開 2017-228725	発光素子の製造方法及び発光素子	2017年12月28日
特開 2017-224652	シリコンウェーハの搬送・保管方法	2017年12月21日
特開 2017-224680	貼り合わせウェーハの製造方法	2017年12月21日
特開 2017-224695	シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2017年12月21日
特開 2017-218347	自立基板の製造方法	2017年12月14日
特開 2017-219409	半導体シリコンウェーハの表面欠陥検査方法	2017年12月14日
特開 2017-220503	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2017年12月14日
特開 2017-220545	シリコン単結晶ウェーハの抵抗率評価方法	2017年12月14日
特開 2017-220587	シリコンウェーハの高感度欠陥評価方法およびシリコン単結晶の製造方法	2017年12月14日
特開 2017-212268	単結晶インゴットの切断方法	2017年11月30日
特開 2017-206396	単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法	2017年11月24日
特開 2017-206400	単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法及び単結晶の製造方法	2017年11月24日
特開 2017-206592	フッ素樹脂成形品の製造方法	2017年11月24日

120 件中 1-15 件を表示

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2017-226584 2017-228686 2017-228725 2017-224652 2017-224680 2017-224695 2017-218347 2017-219409 2017-220503 2017-220545 2017-220587 2017-212268 2017-206396 2017-206400 2017-206592

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