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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2012-246218	シリコン単結晶ウェーハおよびシリコン単結晶の製造方法	2012年12月13日
特開 2012-248739	貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ	2012年12月13日
特開 2012-248756	気相成長方法及び発光素子用基板の製造方法	2012年12月13日
特開 2012-245584	研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法及びワークの研磨方法	2012年12月13日
特開 2012-243957	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2012年12月10日
特開 2012-237602	ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法	2012年12月 6日
特開 2012-238712	基板の一部に絶縁層を有する貼り合わせ基板の製造方法	2012年12月 6日
特開 2012-232859	誘導加熱コイルにおける放電防止用絶縁部材及びこれを用いた単結晶製造装置並びに単結晶製造方法	2012年11月29日
特開 2012-231005	半導体ウェーハ及びその製造方法	2012年11月22日
特開 2012-227385	エピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年11月15日
特開 2012-223838	両頭研削方法及び両頭研削装置	2012年11月15日
特開 2012-223862	ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー	2012年11月15日
特開 2012-227216	ウェーハの電気特性測定方法	2012年11月15日
特開 2012-227471	偏心量の評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年11月15日
特開 2012-224522	複巻誘導加熱コイル及びこれを有する単結晶製造装置並びにこれを用いた単結晶製造方法	2012年11月15日

100 件中 1-15 件を表示

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2012-246218 2012-248739 2012-248756 2012-245584 2012-243957 2012-237602 2012-238712 2012-232859 2012-231005 2012-227385 2012-223838 2012-223862 2012-227216 2012-227471 2012-224522

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