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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2011-195164	容器包装装置	2011年10月 6日
特開 2011-198807	化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法	2011年10月 6日
特開 2011-198819	ＳｉＣ基板の評価方法	2011年10月 6日
再表 2009-141963	単結晶製造装置	2011年 9月29日
特開 2011-187474	ＳＯＩウェーハの設計方法及び製造方法	2011年 9月22日
特開 2011-187475	ＳＯＩウェーハの設計方法及び製造方法	2011年 9月22日
特開 2011-184227	シリコン単結晶の製造方法	2011年 9月22日
特開 2011-184238	単結晶引上げ装置	2011年 9月22日
特開 2011-184719	耐食性部材、気相成長装置、気相成長方法及びコーティング方法	2011年 9月22日
特開 2011-176213	気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 9月 8日
特開 2011-167819	研磨ヘッド及び研磨装置	2011年 9月 1日	共同出願
特開 2011-171589	気相成長装置および化合物半導体基板の製造方法	2011年 9月 1日
特開 2011-171630	気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 9月 1日
特開 2011-162393	単結晶製造装置および単結晶の製造方法	2011年 8月25日
特開 2011-161611	キャリア取り付け方法	2011年 8月25日	共同出願

120 件中 31-45 件を表示

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2011-195164 2011-198807 2011-198819 2009-141963 2011-187474 2011-187475 2011-184227 2011-184238 2011-184719 2011-176213 2011-167819 2011-171589 2011-171630 2011-162393 2011-161611

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