特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第404位　100件（2011年：第330位　120件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第234位　161件（2011年：第254位　138件）

（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2012-186292	貼り合わせウェーハの製造方法	2012年 9月27日
特開 2012-186306	サセプタ及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年 9月27日
特開 2012-186204	化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子	2012年 9月27日
特開 2012-179712	ワイヤソーおよびワークの切断方法	2012年 9月20日
特開 2012-178463	半導体ウェーハ及びその製造方法	2012年 9月13日
特開 2012-175023	シリコン基板の製造方法及びシリコン基板	2012年 9月10日	共同出願
特開 2012-174935	エピタキシャルウェーハの製造方法	2012年 9月10日	共同出願
特開 2012-171035	インサート材及び両面研磨装置	2012年 9月10日
特開 2012-171822	炭素ドープシリコン単結晶の製造方法	2012年 9月10日
特開 2012-174706	Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法	2012年 9月10日
特開 2012-169449	貼り合わせウェーハの製造方法	2012年 9月 6日
特開 2012-162421	単結晶製造装置及び単結晶製造方法	2012年 8月30日
特開 2012-164904	貼り合わせ基板及びその製造方法	2012年 8月30日
特開 2012-162431	ＧａＮ自立基板の製造方法	2012年 8月30日
特開 2012-164906	貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法	2012年 8月30日

100 件中 31-45 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2012-186292 2012-186306 2012-186204 2012-179712 2012-178463 2012-175023 2012-174935 2012-171035 2012-171822 2012-174706 2012-169449 2012-162421 2012-164904 2012-162431 2012-164906

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数