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信越半導体株式会社

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  2012年 出願公開件数ランキング    第404位 100件 下降2011年:第330位 120件)

  2012年 特許取得件数ランキング    第234位 161件 上昇2011年:第254位 138件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2012-156303 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2012年 8月16日
特開 2012-153548 シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 2012年 8月16日
特開 2012-151316 貼り合わせ基板及びその製造方法 2012年 8月 9日
特開 2012-148918 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 2012年 8月 9日
特開 2012-148953 単結晶の製造方法 2012年 8月 9日
特開 2012-148938 融液温度の測定方法、放射温度計、及びシリコン単結晶の製造方法 2012年 8月 9日
特開 2012-146697 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 2012年 8月 2日
特開 2012-144379 単結晶の製造方法 2012年 8月 2日
特開 2012-142361 発光素子 2012年 7月26日
特開 2012-138463 シリコン単結晶ウェーハの評価方法 2012年 7月19日
特開 2012-138229 照明器具及びシリコン単結晶の保管方法 2012年 7月19日
特開 2012-134242 SOIウェーハの製造方法 2012年 7月12日
特開 2012-130993 研磨方法、研磨装置及び研磨布 2012年 7月12日
特開 2012-129347 貼り合わせSOIウエーハの製造方法 2012年 7月 5日
特開 2012-129409 半導体ウェーハの洗浄方法 2012年 7月 5日

100 件中 46-60 件を表示

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2012-156303 2012-153548 2012-151316 2012-148918 2012-148953 2012-148938 2012-146697 2012-144379 2012-142361 2012-138463 2012-138229 2012-134242 2012-130993 2012-129347 2012-129409

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