信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-156303 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 8月16日 | |
| 特開 2012-153548 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びアニールウェーハ | 2012年 8月16日 | |
| 特開 2012-151316 | 貼り合わせ基板及びその製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
| 特開 2012-148918 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
| 特開 2012-148953 | 単結晶の製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
| 特開 2012-148938 | 融液温度の測定方法、放射温度計、及びシリコン単結晶の製造方法 | 2012年 8月 9日 | |
| 特開 2012-146697 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 | 2012年 8月 2日 | |
| 特開 2012-144379 | 単結晶の製造方法 | 2012年 8月 2日 | |
| 特開 2012-142361 | 発光素子 | 2012年 7月26日 | |
| 特開 2012-138463 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 | 2012年 7月19日 | |
| 特開 2012-138229 | 照明器具及びシリコン単結晶の保管方法 | 2012年 7月19日 | |
| 特開 2012-134242 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2012年 7月12日 | |
| 特開 2012-130993 | 研磨方法、研磨装置及び研磨布 | 2012年 7月12日 | |
| 特開 2012-129347 | 貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法 | 2012年 7月 5日 | |
| 特開 2012-129409 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2012年 7月 5日 |
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2012-156303 2012-153548 2012-151316 2012-148918 2012-148953 2012-148938 2012-146697 2012-144379 2012-142361 2012-138463 2012-138229 2012-134242 2012-130993 2012-129347 2012-129409
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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