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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件 (2012年:第404位 100件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件 (2012年:第234位 161件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2013-147407 | シリコン単結晶ウエーハ、その酸素析出量の面内均一性評価方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 8月 1日 | |
特開 2013-147406 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 8月 1日 | |
特開 2013-142047 | 石英ルツボ及びシリコン単結晶の製造方法 | 2013年 7月22日 | |
特開 2013-142054 | シリコン基板の製造方法 | 2013年 7月22日 | |
特開 2013-143504 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及び電子デバイス | 2013年 7月22日 | |
特開 2013-143407 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 | 2013年 7月22日 | |
特開 2013-137205 | 膜厚分布測定方法 | 2013年 7月11日 | |
特開 2013-136122 | 研削装置及び研削方法 | 2013年 7月11日 | |
再表 2011-125305 | シリコンエピタキシャルウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法、及び半導体素子又は集積回路の製造方法 | 2013年 7月 8日 | |
特開 2013-131591 | 半導体基板の評価方法 | 2013年 7月 4日 | |
特開 2013-129046 | ワークの切断方法 | 2013年 7月 4日 | |
特開 2013-131617 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 7月 4日 | |
特開 2013-129551 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2013年 7月 4日 | |
特開 2013-126926 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 6月27日 | |
特開 2013-125909 | SOIウェーハの製造方法 | 2013年 6月24日 |
130 件中 46-60 件を表示
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2013-147407 2013-147406 2013-142047 2013-142054 2013-143504 2013-143407 2013-137205 2013-136122 2011-125305 2013-131591 2013-129046 2013-131617 2013-129551 2013-126926 2013-125909
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11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月26日(火) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
【特別講演】第8回 前コミュ 生成AIでビジネスチャンスをつかむ前に、生成AI導入に待ち構える法的ハードルを越える方法 ~ つながりを育む出会いの場(知財ネットワーク交流会)~
12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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