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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2011-140421	単結晶製造装置	2011年 7月21日
特開 2011-140410	石英ガラスルツボ及びその製造方法	2011年 7月21日
特開 2011-138899	エピタキシャル層の抵抗率測定方法	2011年 7月14日
特開 2011-134871	エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法	2011年 7月 7日
特開 2011-134823	両面研磨装置	2011年 7月 7日
特開 2011-129572	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 6月30日
特開 2011-129570	シリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法	2011年 6月30日
特開 2011-126730	単結晶引上げ装置	2011年 6月30日
特開 2011-124280	ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ	2011年 6月23日
特開 2011-119528	半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法	2011年 6月16日
特開 2011-116600	単結晶製造装置及び単結晶製造方法	2011年 6月16日
再表 2009-104222	ワイヤソーおよびワークの切断方法	2011年 6月16日
特開 2011-119405	シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法	2011年 6月16日
特開 2011-114119	エピタキシャルウェーハ及びその製造方法	2011年 6月 9日
特開 2011-114148	基板の熱処理方法	2011年 6月 9日

120 件中 61-75 件を表示

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2011-140421 2011-140410 2011-138899 2011-134871 2011-134823 2011-129572 2011-129570 2011-126730 2011-124280 2011-119528 2011-116600 2009-104222 2011-119405 2011-114119 2011-114148

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