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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2012-126593	半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法	2012年 7月 5日
特開 2012-129416	半導体ウェーハ及びその製造方法	2012年 7月 5日
特開 2012-124476	気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年 6月28日
特開 2012-124531	エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法	2012年 6月28日
特開 2012-121736	断熱筒、断熱筒の製造方法及び単結晶製造装置	2012年 6月28日
特開 2012-116049	インゴットの切断方法	2012年 6月21日
特開 2012-114254	半導体ウェーハの評価装置及び評価方法	2012年 6月14日
特開 2012-104651	シリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法	2012年 5月31日	共同出願
特開 2012-101974	単結晶製造装置及び単結晶の製造方法	2012年 5月31日
特開 2012-104561	絶縁破壊寿命シミュレーション方法及びシリコンウェーハ表面の品質評価方法	2012年 5月31日
特開 2012-101946	石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法	2012年 5月31日
特開 2012-99563	ウェーハの評価方法及びサセプタの評価方法	2012年 5月24日
特開 2012-94615	シリコン酸化膜の成膜方法、及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法	2012年 5月17日
特開 2012-89711	ウェーハの芯出し装置、面取り装置及びウェーハの芯出し方法	2012年 5月10日
特開 2012-82121	シリコン単結晶の製造方法	2012年 4月26日

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2012-126593 2012-129416 2012-124476 2012-124531 2012-121736 2012-116049 2012-114254 2012-104651 2012-101974 2012-104561 2012-101946 2012-99563 2012-94615 2012-89711 2012-82121

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