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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2013-124192	単結晶引上げ装置	2013年 6月24日
特開 2013-125885	半導体基板の評価方法および半導体基板の製造方法	2013年 6月24日
特開 2013-125904	埋め込み領域付エピタキシャルウエーハの製造方法	2013年 6月24日
特開 2013-121891	単結晶の製造方法	2013年 6月20日
特開 2013-119486	シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法	2013年 6月17日
特開 2013-120900	イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法	2013年 6月17日	共同出願
特開 2013-118333	エピタキシャルウエーハの欠陥評価方法	2013年 6月13日
特開 2013-116508	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2013年 6月13日
特開 2013-118268	半導体結晶膜の気相成長装置	2013年 6月13日
特開 2013-116828	単結晶の製造方法	2013年 6月13日
特開 2013-115342	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2013年 6月10日
特開 2013-110276	半導体基板の評価方法および評価用半導体基板	2013年 6月 6日
特開 2013-110364	半導体ウェーハの熱処理方法	2013年 6月 6日
特開 2013-110145	エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法	2013年 6月 6日
特開 2013-110359	気相成長装置の清浄度評価方法	2013年 6月 6日

130 件中 61-75 件を表示

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2013-124192 2013-125885 2013-125904 2013-121891 2013-119486 2013-120900 2013-118333 2013-116508 2013-118268 2013-116828 2013-115342 2013-110276 2013-110364 2013-110145 2013-110359

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