特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第330位　120件（2010年：第311位　147件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第254位　138件（2010年：第270位　113件）

（ランキング更新日：2024年11月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2011-114080	シリコン基板のエッチング方法およびシリコン基板の不純物分析方法	2011年 6月 9日
特開 2011-114148	基板の熱処理方法	2011年 6月 9日
特開 2011-100835	発光素子の製造方法	2011年 5月19日
特開 2011-100909	半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法	2011年 5月19日
再表 2009-84154	エピタキシャル成長用サセプタ	2011年 5月12日
特開 2011-93770	抵抗率計算プログラム及び単結晶の製造方法	2011年 5月12日
特開 2011-93778	シリコン単結晶ウェーハおよびシリコン単結晶の製造方法	2011年 5月12日
特開 2011-91103	発光素子	2011年 5月 6日
特開 2011-88758	Ｎ型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープＮ型シリコン単結晶	2011年 5月 6日
再表 2009-78130	ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー	2011年 4月28日
特開 2011-86887	エピタキシャル成長装置	2011年 4月28日
再表 2009-72252	気相成長用サセプタおよび気相成長装置	2011年 4月21日
特開 2011-73900	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ	2011年 4月14日
特開 2011-73952	単結晶製造装置	2011年 4月14日
特開 2011-77066	半導体基板の製造方法	2011年 4月14日

120 件中 76-90 件を表示

... 6

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2011-114080 2011-114148 2011-100835 2011-100909 2009-84154 2011-93770 2011-93778 2011-91103 2011-88758 2009-78130 2011-86887 2009-72252 2011-73900 2011-73952 2011-77066

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数