特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第404位　100件（2011年：第330位　120件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第234位　161件（2011年：第254位　138件）

（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2012-79932	シリコン単結晶の結晶欠陥の評価方法	2012年 4月19日
特開 2012-80057	発光素子及び発光素子の製造方法	2012年 4月19日
特開 2012-66981	単結晶の製造方法及び単結晶製造装置	2012年 4月 5日
特開 2012-64802	貼り合わせウェーハの製造方法	2012年 3月29日
特開 2012-64834	シリコンエピタキシャルウエーハ製造システム及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法	2012年 3月29日
特開 2012-59726	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2012年 3月22日
特開 2012-59889	貼り合わせウェーハの製造方法及びウェーハ載置用サセプタ	2012年 3月22日
特開 2012-59849	シリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年 3月22日
特開 2012-54310	エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置	2012年 3月15日
特開 2012-46371	半導体単結晶の製造装置及び製造方法	2012年 3月 8日
特開 2012-41614	シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法	2012年 3月 1日
特開 2012-43931	ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びにシリコンウエーハ並びに熱処理装置	2012年 3月 1日	共同出願
特開 2012-43892	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ	2012年 3月 1日
特開 2012-31005	シリコン単結晶の製造方法	2012年 2月16日
再表 2010-35409	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2012年 2月16日

100 件中 76-90 件を表示

... 6

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2012-79932 2012-80057 2012-66981 2012-64802 2012-64834 2012-59726 2012-59889 2012-59849 2012-54310 2012-46371 2012-41614 2012-43931 2012-43892 2012-31005 2010-35409

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数