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信越半導体株式会社

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  2012年 出願公開件数ランキング    第404位 100件 下降2011年:第330位 120件)

  2012年 特許取得件数ランキング    第234位 161件 上昇2011年:第254位 138件)

(ランキング更新日:2024年11月29日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2012-23182 シリコン基板の製造方法及びシリコン基板 2012年 2月 2日 共同出願
再表 2010-23829 研磨ヘッド及び研磨装置 2012年 1月26日 共同出願
特開 2012-12271 黒鉛ルツボ 2012年 1月19日
特開 2012-9581 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2012年 1月12日
特開 2012-4284 CVD炉の清浄度評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 2012年 1月 5日
特開 2012-1387 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法 2012年 1月 5日
特開 2012-1386 単結晶製造装置及び湯漏れ検出方法 2012年 1月 5日
特開 2012-4439 シリコンウエーハのPN判定方法 2012年 1月 5日
特開 2012-4438 熱衝撃耐性評価装置及び熱衝撃耐性の評価方法 2012年 1月 5日
特開 2012-4387 貼り合わせウエーハの製造方法 2012年 1月 5日

100 件中 91-100 件を表示

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2012-23182 2010-23829 2012-12271 2012-9581 2012-4284 2012-1387 2012-1386 2012-4439 2012-4438 2012-4387

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