信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4848947 | 半導体基板の評価方法および半導体基板評価用素子 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4848974 | 黒鉛ルツボおよびこれを備えたシリコン単結晶製造装置 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4849083 | 単結晶引上げ装置 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4846915 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年12月28日 | 共同出願 |
| 特許 4840629 | シリコンウェーハの評価方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4839836 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4839818 | 貼り合わせ基板の製造方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4833355 | 研磨ヘッド及び研磨装置 | 2011年12月 7日 | 共同出願 |
| 特許 4831203 | 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4832727 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | 2011年12月 7日 | 共同出願 |
| 特許 4830290 | 直接接合ウェーハの製造方法 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4826994 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4826070 | 半導体ウエーハの熱処理方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4826475 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4826993 | ｐ型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 |
138 件中 1-15 件を表示
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4848947 4848974 4849083 4846915 4840629 4839836 4839818 4833355 4831203 4832727 4830290 4826994 4826070 4826475 4826993
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12月2日(月) - 滋賀 草津市
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