信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年6月6日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5145792 | 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法 | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5140990 | エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5141406 | シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5145131 | 研磨ヘッドの製造方法 | 2013年 2月13日 | 共同出願 |
| 特許 5135935 | 貼り合わせウエーハの製造方法 | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5131170 | 単結晶製造用上部ヒーターおよび単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5130894 | イオン注入条件の管理方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5130808 | ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5125098 | 窒化物半導体自立基板の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5126267 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶製造装置 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5125983 | シリコン単結晶の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5125003 | シリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5125194 | 貼り合わせウエーハの製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5124973 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5124931 | 多層ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2013年 1月23日 |
154 件中 136-150 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
5145792 5140990 5141406 5145131 5135935 5131170 5130894 5130808 5125098 5126267 5125983 5125003 5125194 5124973 5124931
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
東京都千代田区岩本町2-19-9 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都豊島区東池袋３－１－１ サンシャイン６０ ４５階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 コンサルティング
千葉県柏市若柴178番地４ 柏の葉キャンパス148街区2 ショップ＆オフィス棟6階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許
