特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2024年出願公開件数ランキング　　　第540位　53件（2023年：第386位　87件）

　■　2024年特許取得件数ランキング　　　第410位　70件（2023年：第364位　86件）

（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7605096	電極の面積を求める方法及び抵抗率測定方法	2024年12月24日
特許 7605152	高周波デバイス用基板、及びその製造方法	2024年12月24日
特許 7597081	電子デバイス用基板及びその製造方法	2024年12月10日
特許 7586012	シリコンインゴットの表面処理方法、加工方法、シリコンブロックの保管方法、シリコンウェーハの製造方法及びシリコンインゴット	2024年11月19日
特許 7584471	デブリ判定方法	2024年11月15日
特許 7582057	シリコンウェーハの洗浄方法及びシリコンウェーハの製造方法	2024年11月13日
特許 7582161	シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの加工変質層除去方法	2024年11月13日
特許 7582252	抵抗率測定装置及び抵抗率測定方法	2024年11月13日
特許 7578063	洗浄処理装置	2024年11月 6日
特許 7571618	原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びＣＺ単結晶製造装置	2024年10月23日
特許 7571691	シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法	2024年10月23日
特許 7571710	シリコンウェーハの洗浄方法及び自然酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法	2024年10月23日
特許 7571854	欠陥検査方法	2024年10月23日
特許 7567681	評価用密閉収納容器、および密閉収納容器のダストの評価方法	2024年10月16日
特許 7567747	シリコン単結晶ウェーハの欠陥の種類の特定方法	2024年10月16日

70 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

7605096 7605152 7597081 7586012 7584471 7582057 7582161 7582252 7578063 7571618 7571691 7571710 7571854 7567681 7567747

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数