信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5417894 | インゴット切断装置、インゴット切断方法及びインゴット切断装置の切断テーブルの管理方法 | 2014年 2月19日 | |
| 特許 5423709 | ＳｉＣ成長装置 | 2014年 2月19日 | |
| 特許 5418564 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 2月19日 | |
| 特許 5418266 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ評価装置 | 2014年 2月19日 | |
| 特許 5413305 | エピタキシャル成長装置 | 2014年 2月12日 | |
| 特許 5411739 | キャリア取り付け方法 | 2014年 2月12日 | 共同出願 |
| 特許 5407961 | 容器包装装置 | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5408085 | シリコンエピタキシャルウエーハ製造システム及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5407609 | シリコンウェーハの評価方法 | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5407359 | 発光ダイオード | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5407126 | 半導体基板の製造方法 | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5392051 | 単結晶引上げ装置 | 2014年 1月22日 | |
| 特許 5392040 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2014年 1月22日 | |
| 特許 5387509 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2014年 1月15日 | |
| 特許 5387450 | ＳＯＩウェーハの設計方法及び製造方法 | 2014年 1月15日 |
155 件中 136-150 件を表示
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5417894 5423709 5418564 5418266 5413305 5411739 5407961 5408085 5407609 5407359 5407126 5392051 5392040 5387509 5387450
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