信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5338443 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5343449 | フッ素樹脂製部材の洗浄方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5338326 | シリコン単結晶ウェーハの導電型及び抵抗率の測定方法、及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5343693 | ドーパント濃度測定方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5339785 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2013年11月13日 | 共同出願 |
| 特許 5338748 | 化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5343713 | 半導体ウェーハの評価装置 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5338559 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年11月13日 | |
| 特許 5332914 | シリコンインゴットの切断方法 | 2013年11月 6日 | |
| 特許 5333396 | 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | 2013年11月 6日 | |
| 特許 5333049 | ワークの加工装置及び加工方法 | 2013年11月 6日 | |
| 特許 5333620 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2013年11月 6日 | |
| 特許 5326538 | 化合物半導体基板および発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 | 2013年10月30日 | |
| 特許 5324761 | 高輝度発光ダイオ−ド及びその製造方法 | 2013年10月23日 | |
| 特許 5321430 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法 | 2013年10月23日 |
154 件中 16-30 件を表示
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5338443 5343449 5338326 5343693 5339785 5338748 5343713 5338559 5332914 5333396 5333049 5333620 5326538 5324761 5321430
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