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信越半導体株式会社

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  2013年 出願公開件数ランキング    第330位 130件 上昇2012年:第404位 100件)

  2013年 特許取得件数ランキング    第255位 154件 下降2012年:第234位 161件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特許 5338443 選択 SOIウェーハの製造方法 2013年11月13日
特許 5343449 選択 フッ素樹脂製部材の洗浄方法 2013年11月13日
特許 5338326 選択 シリコン単結晶ウェーハの導電型及び抵抗率の測定方法、及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法 2013年11月13日
特許 5343693 選択 ドーパント濃度測定方法 2013年11月13日
特許 5339785 選択 貼り合わせウェーハの製造方法 2013年11月13日 共同出願
特許 5338748 選択 化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板 2013年11月13日
特許 5343713 選択 半導体ウェーハの評価装置 2013年11月13日
特許 5338559 選択 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2013年11月13日
特許 5332914 選択 シリコンインゴットの切断方法 2013年11月 6日
特許 5333396 選択 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 2013年11月 6日
特許 5333049 選択 ワークの加工装置及び加工方法 2013年11月 6日
特許 5333620 選択 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 2013年11月 6日
特許 5326538 選択 化合物半導体基板および発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 2013年10月30日
特許 5324761 選択 高輝度発光ダイオ−ド及びその製造方法 2013年10月23日
特許 5321430 選択 シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法 2013年10月23日

154 件中 16-30 件を表示

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5338443 5343449 5338326 5343693 5339785 5338748 5343713 5338559 5332914 5333396 5333049 5333620 5326538 5324761 5321430

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