信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2024年11月14日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5590000 | ポリシリコン膜の膜厚評価方法 | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5590002 | 金属汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5589968 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5589867 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5590001 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5587257 | イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法 | 2014年 9月10日 | 共同出願 |
| 特許 5585319 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 9月10日 | |
| 特許 5585554 | 単結晶育成装置 | 2014年 9月10日 | |
| 特許 5582066 | 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 | 2014年 9月 3日 | |
| 特許 5578172 | アニールウエーハの製造方法およびデバイスの製造方法 | 2014年 8月27日 | |
| 特許 5577873 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2014年 8月27日 | |
| 特許 5573790 | 単結晶育成装置 | 2014年 8月20日 | |
| 特許 5572914 | 直接接合ウェーハの製造方法 | 2014年 8月20日 | |
| 特許 5574244 | 気相成長装置の清浄度評価方法 | 2014年 8月20日 | |
| 特許 5573753 | ＳｉＣ成長装置 | 2014年 8月20日 |
155 件中 31-45 件を表示
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5590000 5590002 5589968 5589867 5590001 5587257 5585319 5585554 5582066 5578172 5577873 5573790 5572914 5574244 5573753
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