信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2024年11月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5572569 | シリコン基板の製造方法及びシリコン基板 | 2014年 8月13日 | 共同出願 |
| 特許 5565128 | 貼り合わせウエーハの製造方法 | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5565472 | サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5565079 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 8月 6日 | |
| 特許 5561332 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法並びにシリコン単結晶ウェーハの評価方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5561217 | ライフタイム値の測定方法及びこれを用いたウエーハの選別方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5561245 | 半導体基板の評価方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5561489 | ＧａＮ自立基板の製造方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5561221 | レーザーマークの評価方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5556349 | 透明基板の欠陥検査装置および透明基板の欠陥検査方法 | 2014年 7月23日 | |
| 特許 5556731 | ウェーハの電気特性測定方法 | 2014年 7月23日 | |
| 特許 5553066 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2014年 7月16日 | |
| 特許 5552891 | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | 2014年 7月16日 | |
| 特許 5541136 | 貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
| 特許 5541190 | Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 | 2014年 7月 9日 |
155 件中 46-60 件を表示
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5572569 5565128 5565472 5565079 5561332 5561217 5561245 5561489 5561221 5556349 5556731 5553066 5552891 5541136 5541190
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