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信越半導体株式会社

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  2013年 出願公開件数ランキング    第330位 130件 上昇2012年:第404位 100件)

  2013年 特許取得件数ランキング    第255位 154件 下降2012年:第234位 161件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特許 5272329 選択 SOIウエーハの製造方法 2013年 8月28日
特許 5277646 選択 化合物半導体基板の製造方法 2013年 8月28日
特許 5273150 選択 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2013年 8月28日
特許 5272496 選択 シリコンウェーハの酸化膜形成方法 2013年 8月28日
特許 5266616 選択 シリコン単結晶インゴットの製造方法 2013年 8月21日
特許 5263509 選択 貼り合わせウェーハの製造方法 2013年 8月14日
特許 5263536 選択 ワークの切断方法 2013年 8月14日
特許 5251243 選択 気相成長装置およびシリコンエピタキシャル膜の気相成長方法 2013年 7月31日
特許 5251185 選択 化合物半導体基板及びそれを用いた発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法 2013年 7月31日
特許 5245380 選択 SOIウェーハの製造方法 2013年 7月24日
特許 5244650 選択 SOIウェーハの製造方法 2013年 7月24日
特許 5246209 選択 半導体単結晶棒の製造方法 2013年 7月24日
特許 5239155 選択 シリコンウエーハの製造方法 2013年 7月17日
特許 5240651 選択 多層シリコン半導体ウェーハ及びその作製方法 2013年 7月17日
特許 5240437 選択 多層シリコン半導体ウェーハの作製方法 2013年 7月17日

154 件中 61-75 件を表示

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5272329 5277646 5273150 5272496 5266616 5263509 5263536 5251243 5251185 5245380 5244650 5246209 5239155 5240651 5240437

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