信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5272329 | ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2013年 8月28日 | |
| 特許 5277646 | 化合物半導体基板の製造方法 | 2013年 8月28日 | |
| 特許 5273150 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 8月28日 | |
| 特許 5272496 | シリコンウェーハの酸化膜形成方法 | 2013年 8月28日 | |
| 特許 5266616 | シリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2013年 8月21日 | |
| 特許 5263509 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2013年 8月14日 | |
| 特許 5263536 | ワークの切断方法 | 2013年 8月14日 | |
| 特許 5251243 | 気相成長装置およびシリコンエピタキシャル膜の気相成長方法 | 2013年 7月31日 | |
| 特許 5251185 | 化合物半導体基板及びそれを用いた発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法 | 2013年 7月31日 | |
| 特許 5245380 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 7月24日 | |
| 特許 5244650 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2013年 7月24日 | |
| 特許 5246209 | 半導体単結晶棒の製造方法 | 2013年 7月24日 | |
| 特許 5239155 | シリコンウエーハの製造方法 | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5240651 | 多層シリコン半導体ウェーハ及びその作製方法 | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5240437 | 多層シリコン半導体ウェーハの作製方法 | 2013年 7月17日 |
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5272329 5277646 5273150 5272496 5266616 5263509 5263536 5251243 5251185 5245380 5244650 5246209 5239155 5240651 5240437
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