信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5510359 | 炭素ドープシリコン単結晶の製造方法 | 2014年 6月 4日 | |
| 特許 5509581 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2014年 6月 4日 | |
| 特許 5510897 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 6月 4日 | |
| 特許 5505365 | 誘導加熱コイルにおける放電防止用絶縁部材及びこれを用いた単結晶製造装置並びに単結晶製造方法 | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5505362 | 複巻誘導加熱コイル及びこれを有する単結晶製造装置並びにこれを用いた単結晶製造方法 | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5505367 | 基板の一部に絶縁層を有する貼り合わせ基板の製造方法 | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5504634 | ライフタイムの評価方法 | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5505359 | ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5505334 | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | 2014年 5月28日 | |
| 特許 5500134 | 単結晶育成装置 | 2014年 5月21日 | |
| 特許 5500784 | 多層シリコン半導体ウェーハ及びその作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許 5500138 | 炭素ドープシリコン単結晶の製造方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許 5488544 | 単結晶育成装置 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5493345 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5493343 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 5月14日 |
155 件中 76-90 件を表示
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5510359 5509581 5510897 5505365 5505362 5505367 5504634 5505359 5505334 5500134 5500784 5500138 5488544 5493345 5493343
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