信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年3月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5212406 | 単結晶引上げ装置 | 2013年 6月19日 | |
| 特許 5217353 | 絶縁膜の形成方法 | 2013年 6月19日 | |
| 特許 5211750 | 単結晶シリコンウエーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
| 特許 5211543 | ウエーハ支持治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボートならびにウエーハ支持治具の製造方法 | 2013年 6月12日 | |
| 特許 5201086 | ワークの切断方法 | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5201126 | シリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法 | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5205840 | 半導体基板の製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5201420 | 多層シリコンウェーハの作製法 | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5200604 | スーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5200412 | ＳＯＩ基板の製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
| 特許 5196288 | 発光素子の製造方法及び発光素子 | 2013年 5月15日 | |
| 特許 5194912 | スーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法 | 2013年 5月 8日 | |
| 特許 5194508 | ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2013年 5月 8日 | |
| 特許 5190669 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5190666 | 貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法 | 2013年 4月24日 |
154 件中 91-105 件を表示
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5212406 5217353 5211750 5211543 5201086 5201126 5205840 5201420 5200604 5200412 5196288 5194912 5194508 5190669 5190666
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