信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年6月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5190707 | ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5186970 | 単結晶製造装置及びその方法 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5190669 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5190666 | 貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5187063 | 発光素子 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5186296 | ウェーハの研磨方法及び半導体素子の製造方法 | 2013年 4月17日 | 共同出願 |
| 特許 5183969 | ＳＯＩウェーハのシリコン酸化膜形成方法 | 2013年 4月17日 | 共同出願 |
| 特許 5183958 | ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2013年 4月17日 | 共同出願 |
| 特許 5176679 | 薄膜の気相成長方法 | 2013年 4月 3日 | |
| 特許 5176771 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 | 2013年 4月 3日 | |
| 特許 5169321 | ワークの研磨方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5170056 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5170061 | 抵抗率計算プログラム及び単結晶の製造方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5169509 | 欠陥検出方法及び欠陥検出システム並びに発光素子の製造方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5168990 | 半導体基板の製造方法 | 2013年 3月27日 |
154 件中 106-120 件を表示
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5190707 5186970 5190669 5190666 5187063 5186296 5183969 5183958 5176679 5176771 5169321 5170056 5170061 5169509 5168990
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