信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5472073 | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | 2014年 4月16日 | |
| 特許 5472173 | シリコンウェーハ中のＣｕ濃度評価方法 | 2014年 4月16日 | |
| 特許 5471874 | 熱衝撃耐性評価装置及び熱衝撃耐性の評価方法 | 2014年 4月16日 | |
| 特許 5471359 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 4月16日 | |
| 特許 5467923 | 金属汚染評価用シリコンウエーハの製造方法 | 2014年 4月 9日 | 共同出願 |
| 特許 5464057 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
| 特許 5463693 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 4月 9日 | |
| 特許 5463905 | エピタキシャル層の抵抗率測定方法 | 2014年 4月 9日 | |
| 特許 5463884 | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | 2014年 4月 9日 | |
| 特許 5459053 | シリコン単結晶の不純物評価方法 | 2014年 4月 2日 | |
| 特許 5459257 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 4月 2日 | |
| 特許 5454513 | 研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法及びワークの研磨方法 | 2014年 3月26日 | |
| 特許 5454456 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2014年 3月26日 | |
| 特許 5454485 | 貼り合わせ基板の製造方法 | 2014年 3月26日 | |
| 特許 5454298 | 半導体基板の製造方法 | 2014年 3月26日 |
155 件中 106-120 件を表示
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5472073 5472173 5471874 5471359 5467923 5464057 5463693 5463905 5463884 5459053 5459257 5454513 5454456 5454485 5454298
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