信越半導体株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第330位 130件
（
2012年：第404位 100件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第255位 154件
（
2012年：第234位 161件）
（ランキング更新日：2025年6月6日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5169509 | 欠陥検出方法及び欠陥検出システム並びに発光素子の製造方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5168990 | 半導体基板の製造方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5168788 | ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5168117 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5167654 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5167651 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、及びその距離の制御方法 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5161748 | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5163101 | 単結晶製造装置および製造方法 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5158093 | 気相成長用サセプタおよび気相成長装置 | 2013年 3月 6日 | |
| 特許 5151851 | バンドソー切断装置及びインゴットの切断方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5151800 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5152137 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5151674 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5152328 | 単結晶製造装置 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5151628 | シリコン単結晶ウエーハ、シリコン単結晶の製造方法および半導体デバイス | 2013年 2月27日 |
154 件中 121-135 件を表示
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5169509 5168990 5168788 5168117 5167654 5167651 5161748 5163101 5158093 5151851 5151800 5152137 5151674 5152328 5151628
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