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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第347位 110件
(2017年:第303位 145件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件
(2017年:第394位 68件)
(ランキング更新日:2025年6月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2018-93117 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 6月14日 | |
再表 2017-110967 | ルツボ検査装置、ルツボ検査方法、シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法、シリコンインゴットの製造方法、ホモエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 5月31日 | |
特開 2018-79523 | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 | 2018年 5月24日 | |
特開 2018-82001 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年 5月24日 | |
特開 2018-82004 | 半導体ウェーハの評価基準の設定方法、半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハ製造工程の評価方法、および半導体ウェーハの製造方法 | 2018年 5月24日 | |
特開 2018-82072 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2018年 5月24日 | |
特開 2018-75668 | 砥粒及びその評価方法並びにウェーハの製造方法 | 2018年 5月17日 | |
特開 2018-76210 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法及び評価装置並びに製造方法 | 2018年 5月17日 | |
特開 2018-74018 | ウェーハの製造方法およびウェーハ | 2018年 5月10日 | |
特開 2018-74019 | ウェーハの製造方法およびウェーハ | 2018年 5月10日 | |
特開 2018-74086 | 半導体ウェーハの両面研磨方法 | 2018年 5月10日 | |
特開 2018-62428 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年 4月19日 | |
特開 2018-64046 | シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | 2018年 4月19日 | |
特開 2018-64057 | シリコン接合ウェーハの製造方法およびシリコン接合ウェーハ | 2018年 4月19日 | |
特開 2018-58710 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 | 2018年 4月12日 |
110 件中 61-75 件を表示
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2018-93117 2017-110967 2018-79523 2018-82001 2018-82004 2018-82072 2018-75668 2018-76210 2018-74018 2018-74019 2018-74086 2018-62428 2018-64046 2018-64057 2018-58710
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6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
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6月12日(木) -
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6月13日(金) -
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6月10日(火) -
6月16日(月) - 東京 大田
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6月18日(水) -
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6月19日(木) -
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) -
6月16日(月) - 東京 大田
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