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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件
(2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件
(2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年2月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-179276 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2024年12月26日 | |
特開 2024-178702 | 研磨パッドのドレッシング条件設定方法、ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、研磨パッドのドレッシング条件設定装置およびウェーハの片面研磨装置 | 2024年12月25日 | |
特開 2024-176043 | ウェーハの形状評価方法 | 2024年12月19日 | |
特開 2024-176947 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、及びプログラム | 2024年12月19日 | |
特開 2024-171492 | シリコンウェーハの洗浄方法、シリコンウェーハの製造方法、及びシリコンウェーハ | 2024年12月12日 | |
特開 2024-172889 | 外観検査装置および外観検査方法 | 2024年12月12日 | |
特開 2024-168718 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-165050 | 熱遮蔽体位置決め治具、熱遮蔽体位置決め方法、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2024年11月28日 | |
特開 2024-165123 | 黒鉛ルツボ及びこれを用いた金属試料の酸素濃度測定方法 | 2024年11月28日 | |
特開 2024-161836 | ウェーハの熱処理方法及びウェーハの熱処理炉 | 2024年11月20日 | |
特開 2024-158935 | シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置 | 2024年11月 8日 | |
特開 2024-147944 | シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置 | 2024年10月17日 | |
特開 2024-147945 | シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置 | 2024年10月17日 | |
特開 2024-140584 | 原料チャージ補助具 | 2024年10月10日 | |
特開 2024-117354 | ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法 | 2024年 8月29日 |
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2024-179276 2024-178702 2024-176043 2024-176947 2024-171492 2024-172889 2024-168718 2024-165050 2024-165123 2024-161836 2024-158935 2024-147944 2024-147945 2024-140584 2024-117354
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2月10日(月) -
2月12日(水) -
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
2月10日(月) -
Floor 16, Tower A, InDo Building, A48 Zhichun Road, Haidian District, Beijing 100098, P.R. China 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
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