株式会社ＳＵＭＣＯ
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（
2017年：第303位 145件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件
（
2017年：第394位 68件）
（ランキング更新日：2026年3月18日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6442817 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | 2018年12月26日 | |
| 特許 6442818 | シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2018年12月26日 | |
| 特許 6443520 | 半導体ウェーハの評価方法および該方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 | 2018年12月26日 | |
| 特許 6445480 | ＳＯＩ基板の製造方法 | 2018年12月26日 | |
| 特許 6439536 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年12月19日 | |
| 特許 6439782 | 石英試料の分解方法、石英試料の金属汚染分析方法および石英部材の製造方法 | 2018年12月19日 | |
| 特許 6441088 | シリコンウェーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 | 2018年12月19日 | |
| 特許 6435992 | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン | 2018年12月12日 | |
| 特許 6436255 | シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2018年12月12日 | |
| 特許 6432453 | ワイヤーソー装置およびワークの切断方法 | 2018年12月 5日 | |
| 特許 6427894 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年11月28日 | |
| 特許 6427946 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2018年11月28日 | |
| 特許 6428358 | エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト | 2018年11月28日 | |
| 特許 6428372 | 原料融液液面と種結晶下端との間隔測定方法、種結晶の予熱方法、および単結晶の製造方法 | 2018年11月28日 | |
| 特許 6428461 | 種結晶の温度測定方法、および単結晶の製造方法 | 2018年11月28日 |
94 件中 1-15 件を表示
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6442817 6442818 6443520 6445480 6439536 6439782 6441088 6435992 6436255 6432453 6427894 6427946 6428358 6428372 6428461
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