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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第321位 122件
(2018年:第347位 110件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
(2018年:第310位 93件)
(ランキング更新日:2025年6月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2018-55974 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法並びに石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2019年 6月24日 | |
特開 2019-102541 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置の管理方法 | 2019年 6月24日 | |
特開 2019-102635 | 半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 6月24日 | |
特開 2019-94241 | シリコン単結晶のBMD評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2019年 6月20日 | |
再表 2018-30352 | エピタキシャルシリコンウェーハ、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2019年 6月13日 | |
特開 2019-89668 | シリコン単結晶の製造装置および製造方法 | 2019年 6月13日 | |
特開 2019-89676 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2019年 6月13日 | |
特開 2019-89704 | III族窒化物半導体基板の製造方法 | 2019年 6月13日 | |
再表 2018-30042 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2019年 6月 6日 | |
特開 2019-85299 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2019年 6月 6日 | |
特開 2019-81680 | シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 | 2019年 5月30日 | |
特開 2019-77593 | シリコン単結晶の良否判別方法、シリコン単結晶の製造方法、およびシリコンウェーハの製造方法 | 2019年 5月23日 | |
特開 2019-79924 | 検査治具及びこれを用いたシリコンウェーハの欠陥検査方法 | 2019年 5月23日 | |
特開 2019-72796 | 片面研磨装置へのウェーハ貼付装置、および片面研磨装置へのウェーハ貼付方法 | 2019年 5月16日 | |
特開 2019-73412 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 5月16日 |
122 件中 76-90 件を表示
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2018-55974 2019-102541 2019-102635 2019-94241 2018-30352 2019-89668 2019-89676 2019-89704 2018-30042 2019-85299 2019-81680 2019-77593 2019-79924 2019-72796 2019-73412
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6月16日(月) - 東京 大田
6月17日(火) -
6月17日(火) -
6月17日(火) -
6月17日(火) -
6月17日(火) -
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6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月19日(木) - 大阪 大阪市
6月19日(木) -
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) -
6月20日(金) - 愛知 名古屋市
6月16日(月) - 東京 大田
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