株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第321位 122件
（
2018年：第347位 110件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
（2018年：第310位 93件）
（ランキング更新日：2025年3月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
特許 6624030
|
エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年12月25日 | |
| 特許 6614066
|
シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6614091
|
シリコン単結晶の製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6614298
|
シリコンウェーハの製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6610056
|
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610428
|
シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610526
|
シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610529
|
蒸発抑制部材、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6604294
|
シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604300
|
シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604313
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砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604338
|
シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604440
|
単結晶の製造方法及び装置 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6601057
|
ｎ型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、ｎ型シリコンウェーハの製造方法 | 2019年11月 6日 | |
| 特許 6601119
|
エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 | 2019年11月 6日 |
146 件中 1-15 件を表示
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6624030 6614066 6614091 6614298 6610056 6610428 6610526 6610529 6604294 6604300 6604313 6604338 6604440 6601057 6601119
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