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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第321位 122件
(2018年:第347位 110件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
(2018年:第310位 93件)
(ランキング更新日:2025年2月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6624030 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年12月25日 | |
特許 6614066 | シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年12月 4日 | |
特許 6614091 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年12月 4日 | |
特許 6614298 | シリコンウェーハの製造方法 | 2019年12月 4日 | |
特許 6610056 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2019年11月27日 | |
特許 6610428 | シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶 | 2019年11月27日 | |
特許 6610526 | シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 | 2019年11月27日 | |
特許 6610529 | 蒸発抑制部材、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2019年11月27日 | |
特許 6604294 | シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
特許 6604300 | シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
特許 6604313 | 砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
特許 6604338 | シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法 | 2019年11月13日 | |
特許 6604440 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2019年11月13日 | |
特許 6601057 | n型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、n型シリコンウェーハの製造方法 | 2019年11月 6日 | |
特許 6601119 | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 | 2019年11月 6日 |
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6624030 6614066 6614091 6614298 6610056 6610428 6610526 6610529 6604294 6604300 6604313 6604338 6604440 6601057 6601119
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2月21日(金) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 大田
パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月21日(金) -
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月21日(金) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
2月25日(火) -
2月26日(水) -
2月26日(水) -
2月26日(水) - 東京 港区
2月26日(水) -
2月26日(水) - 千葉 船橋市
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
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