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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第316位 112件
(
2018年:第343位 103件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
(
2018年:第310位 93件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6624030 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年12月25日 | |
| 特許 6614298 | シリコンウェーハの製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6614091 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6614066 | シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年12月 4日 | |
| 特許 6610529 | 蒸発抑制部材、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610526 | シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610428 | シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6610056 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2019年11月27日 | |
| 特許 6604440 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604294 | シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604300 | シリコン接合ウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604338 | シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6604313 | 砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6601057 | n型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、n型シリコンウェーハの製造方法 | 2019年11月 6日 | |
| 特許 6601119 | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 | 2019年11月 6日 |
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6624030 6614298 6614091 6614066 6610529 6610526 6610428 6610056 6604440 6604294 6604300 6604338 6604313 6601057 6601119
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公正取引委員会 も注視する“不当なノウハウ流出”の現場と対策セミナー 「電子公証サービス」で証拠を残す 共同研究や取引交渉で負けない知財戦略
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