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信越半導体株式会社

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　■　2015年特許取得件数ランキング　　　第308位　89件（2014年：第258位　155件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2015-213120	ウェーハの加工方法	2015年11月26日
特開 2015-211045	ウェーハのへき開方法及びウェーハの評価方法	2015年11月24日
特開 2015-211061	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2015年11月24日
特開 2015-211064	エピタキシャル成長装置の汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2015年11月24日
特開 2015-211074	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ	2015年11月24日
特開 2015-207624	半導体基板及び半導体素子	2015年11月19日
特開 2015-204316	シリコンウェーハ及びその製造方法	2015年11月16日
特開 2015-204325	エピタキシャルウェーハの製造方法	2015年11月16日
特開 2015-201574	半導体基板及び半導体素子	2015年11月12日
特開 2015-201575	半導体基板の製造方法、半導体素子の製造方法、半導体基板、並びに半導体素子	2015年11月12日
特開 2015-201599	偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2015年11月12日
特開 2015-196236	ワークの切断方法及び加工液	2015年11月 9日
特開 2015-198166	再結合ライフタイムの制御方法及びシリコン基板	2015年11月 9日
特開 2015-192618	植物育成用照明装置及び植物育成方法	2015年11月 5日
特開 2015-190889	誘導結合プラズマ質量分析方法	2015年11月 2日

128 件中 16-30 件を表示

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2015-213120 2015-211045 2015-211061 2015-211064 2015-211074 2015-207624 2015-204316 2015-204325 2015-201574 2015-201575 2015-201599 2015-196236 2015-198166 2015-192618 2015-190889

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