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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2025-187207	化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法	2025年12月25日
特開 2025-187186	ヘテロエピタキシャル基板の評価方法	2025年12月25日
特開 2025-177022	飛行時間型２次イオン質量分析装置の較正用標準試料の作製方法及び飛行時間型２次イオン質量分析装置の較正方法	2025年12月 5日
特開 2025-177010	飛行時間型２次イオン質量分析装置の較正用標準試料の作製方法及び飛行時間型２次イオン質量分析装置の較正方法	2025年12月 5日
特開 2025-173433	排気装置、シリコン単結晶製造装置、排気方法、及びシリコン単結晶の製造方法	2025年11月27日
特開 2025-168976	ＳｉＧｅ基板の作製方法及びＳｉＧｅ基板	2025年11月12日
特開 2025-168938	ＳｉＧｅ基板の製造方法	2025年11月12日
特開 2025-167643	Ｇｅ含有基板及びＧｅ含有基板の製造方法	2025年11月 7日
特開 2025-166744	シリコン単結晶ウェーハの空孔濃度の評価方法	2025年11月 6日
特開 2025-165041	ＳｉＧｅ基板の作製方法及びＳｉＧｅ基板	2025年11月 4日
特開 2025-163888	ＳｉＧｅ基板の作製方法	2025年10月30日
特開 2025-162632	エピタキシャル基板及びその製造方法並びに縦型デバイス基板の製造方法	2025年10月28日
特開 2025-162887	酸素原子層の酸素濃度の測定方法	2025年10月28日
特開 2025-162390	半導体ウェーハの製造方法	2025年10月27日
特開 2025-161223	半導体シリコンウェーハの欠陥評価方法	2025年10月24日

52 件中 1-15 件を表示

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2025-187207 2025-187186 2025-177022 2025-177010 2025-173433 2025-168976 2025-168938 2025-167643 2025-166744 2025-165041 2025-163888 2025-162632 2025-162887 2025-162390 2025-161223

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