信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2025年 出願公開件数ランキング 第575位 20件
（
2024年：第540位 53件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第324位 37件
（
2024年：第410位 70件）
（ランキング更新日：2025年6月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2025-8250 | 炭素濃度の測定方法 | 2025年 1月20日 | |
| 特開 2025-5649 | シリコン単結晶製造装置 | 2025年 1月17日 | |
| 特開 2025-7662 | ＧａＮエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特開 2025-4410 | シリコン基板の表面粗さの評価方法及びシリコンウェーハの製造工程管理方法 | 2025年 1月15日 | |
| 特開 2025-236 | ＳｉＣ基板の製造方法、半導体装置の製造方法、ＳｉＣ基板、及び半導体装置。 | 2025年 1月 7日 |
20 件中 16-20 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2025-8250 2025-5649 2025-7662 2025-4410 2025-236
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
6月4日(水) -
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
愛知県名古屋市中区平和一丁目15－30 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
愛知県名古屋市中区丸の内二丁目８番１１号 セブン丸の内ビル６階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
愛知県名古屋市天白区中平三丁目2702番地 グランドールＳ 203号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
