信越半導体株式会社
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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第436位 16件
（
2024年：第540位 53件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第292位 25件
（2024年：第410位 70件）
（ランキング更新日：2025年4月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7619464 | 接合型ウェーハの製造方法 | 2025年 1月22日 | |
| 特許 7618401 | 大口径ＩＩＩ族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法 | 2025年 1月21日 | |
| 特許 7615874 | ウェーハの製造方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7615947 | 半導体デバイス用基板及びその製造方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7616022 | 酸化膜の膜厚評価方法及び酸化膜付きシリコン基板の製造方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7616035 | 単結晶引き上げ装置 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7616088 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7616103 | 半導体基板の評価方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7611125 | 非接触Ｃ－Ｖ測定方法 | 2025年 1月 9日 | |
| 特許 7609011 | 軌道清掃装置 | 2025年 1月 7日 | |
| 特許 7609154 | 高周波デバイス用基板およびその製造方法 | 2025年 1月 7日 |
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7619464 7618401 7615874 7615947 7616022 7616035 7616088 7616103 7611125 7609011 7609154
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