信越半導体株式会社
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（
2024年：第540位 53件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第341位 51件
（
2024年：第410位 70件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7683803 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2025年 5月27日 | |
| 特許 7676893 | ウェーハの加工方法及びウェーハ | 2025年 5月15日 | |
| 特許 7673696 | シリコン単結晶基板の酸素濃度の上限値の決定方法 | 2025年 5月 9日 | |
| 特許 7669853 | 密閉収納容器 | 2025年 4月30日 | |
| 特許 7670647 | 半導体ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハ | 2025年 4月30日 | |
| 特許 7666396 | シリコン単結晶基板の結晶欠陥の検出方法 | 2025年 4月22日 | |
| 特許 7666608 | 仮接合ウェーハ及びその製造方法 | 2025年 4月22日 | |
| 特許 7663060 | 窒化物半導体基板の製造方法 | 2025年 4月16日 | |
| 特許 7658253 | 窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の製造方法 | 2025年 4月 8日 | |
| 特許 7658329 | シリコン単結晶基板の評価方法 | 2025年 4月 8日 | |
| 特許 7658330 | ピンホール測定装置用の標準サンプル、ピンホール測定装置用の標準サンプルの製造方法、及びピンホールの測定方法 | 2025年 4月 8日 | |
| 特許 7652092 | 半導体基板の評価方法 | 2025年 3月27日 | |
| 特許 7652274 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | 2025年 3月27日 | |
| 特許 7647404 | クリーンルーム間の搬送物梱包用の梱包材、梱包方法及び搬送方法 | 2025年 3月18日 | |
| 特許 7647446 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | 2025年 3月18日 |
52 件中 16-30 件を表示
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7683803 7676893 7673696 7669853 7670647 7666396 7666608 7663060 7658253 7658329 7658330 7652092 7652274 7647404 7647446
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