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信越半導体株式会社

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 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第460位 44件 (下降2025年:第404位 65件)

(ランキング更新日:2026年10月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7893305 ダイヤモンド層の成長方法 2026年 7月22日
特許 7889580 シリコン(110)基板及びシリコン(110)基板の処理方法 2026年 7月14日
特許 7889332 半導体基板の欠陥評価方法 2026年 7月14日
特許 7885750 SOIウェーハ及びその製造方法 2026年 7月 7日
特許 7885725 研磨装置および研磨方法 2026年 7月 7日
特許 7877054 エピタキシャルウェーハ 2026年 6月22日
特許 7875462 ダイヤモンドの熱伝導率の評価法 2026年 6月18日
特許 7875463 半導体基板の製造方法 2026年 6月18日
特許 7875458 エピタキシャル基板の評価方法 2026年 6月18日
特許 7868525 基板の微小欠陥の検出方法 2026年 6月 2日
特許 7861400 梱包体、密閉収納容器の梱包方法、及び輸送方法 2026年 5月19日
特許 7856034 欠陥領域の判定方法 2026年 5月11日
特許 7852732 接合ウェーハの接合不良部除去方法及び接合ウェーハの製造方法 2026年 4月28日
特許 7852555 ノッチのベベル部の表面粗さの測定方法 2026年 4月28日
特許 7848624 高周波用SOIウエーハの製造方法 2026年 4月21日

45 件中 16-30 件を表示

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7893305 7889580 7889332 7885750 7885725 7877054 7875462 7875463 7875458 7868525 7861400 7856034 7852732 7852555 7848624

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