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ソイテック

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-222525	単結晶基板から層を移動させるための方法	2016年12月28日
特開 2016-219833	無線周波数用途又は電力用途のための電子装置及びそのような装置を製造するためのプロセス	2016年12月22日
特開 2016-197593	先進の固体電解質及び製造の方法	2016年11月24日
特開 2016-181699	基板の表面の金属汚染物を減少させるための方法	2016年10月13日
特表 2016-531006	犠牲材料で充填されたキャビティを含む半導体構造を作製する方法	2016年10月 6日
特開 2016-149538	有用層を移動する方法	2016年 8月18日
特表 2016-517627	ＩｎＧａＮを含んでいる活性領域を有している半導体構造、このような半導体構造を形成する方法、及びこのような半導体構造から形成された発光デバイス	2016年 6月16日
特開 2016-96335	層を転写するためのプロセス	2016年 5月26日
特表 2016-514364	構造を処理するためのプロセス	2016年 5月19日
特表 2016-513879	ＩｎＧａＮを含んでいる活性領域を有している半導体発光構造及びその製造の方法	2016年 5月16日
特表 2016-513880	ＩｎＧａＮを含んでいる活性領域を有している発光ダイオード半導体構造	2016年 5月16日
特開 2016-63222	異なる歪み状態を有するトランジスタチャネルを含んだ半導体構造を製造するための方法、及び関連する半導体構造	2016年 4月25日
特開 2016-63224	異なる歪み状態を有するフィン構造を含む半導体構造を作製するための方法及び関連する半導体構造	2016年 4月25日
特表 2016-509376	効率を改善するように構成された低バンドギャップ活性層を有する光活性デバイス及び関連する方法	2016年 3月24日
特表 2016-506619	構造を作製するための方法	2016年 3月 3日

17 件中 1-15 件を表示

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2016-222525 2016-219833 2016-197593 2016-181699 2016-531006 2016-149538 2016-517627 2016-96335 2016-514364 2016-513879 2016-513880 2016-63222 2016-63224 2016-509376 2016-506619

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