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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-171888 | 音波センサ及びその質問 | 2023年12月 5日 | |
特表 2023-546787 | 変形可能層及び圧電層を含むMEMSアプリケーション用の複合構造体、並びに関連付けられた製造方法 | 2023年11月 8日 | |
特表 2023-545635 | ガリウムベースのIII-N合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法 | 2023年10月31日 | |
特表 2023-545695 | 膜を移転するための方法 | 2023年10月31日 | |
特表 2023-544984 | ガリウムベースのIII-N合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法 | 2023年10月26日 | |
特表 2023-544271 | 表面弾性波デバイス(SAW)用の反射構造体 | 2023年10月23日 | |
特表 2023-542884 | ガリウムベースのIII-N合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法 | 2023年10月12日 | |
特表 2023-540459 | 石英基板に形成された表面弾性波センサデバイス | 2023年 9月25日 | |
特開 2023-118728 | 異なる熱膨張係数を有する支持基板に薄層を移転する方法 | 2023年 8月25日 | |
特表 2023-535319 | 電荷トラップ層が設けられたキャリア基板に薄層を転写するプロセス | 2023年 8月17日 | |
特表 2023-531747 | 熱光学部品を製造するための方法 | 2023年 7月25日 | |
特表 2023-530850 | SOI構造用キャリア基板及び関連付けられた製造方法 | 2023年 7月20日 | |
特表 2023-528784 | 非常に高い温度に対応する剥離可能な仮基板、及び前記基板から加工層を移動させるプロセス | 2023年 7月 6日 | |
特表 2023-526902 | 高周波用途用のセミコンダクタオンインシュレータ基板を製造するための方法 | 2023年 6月26日 | |
特表 2023-525611 | 高周波用途用のセミコンダクタオンインシュレータ基板を製造するための方法 | 2023年 6月19日 |
31 件中 1-15 件を表示
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2023-171888 2023-546787 2023-545635 2023-545695 2023-544984 2023-544271 2023-542884 2023-540459 2023-118728 2023-535319 2023-531747 2023-530850 2023-528784 2023-526902 2023-525611
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