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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第3170位 6件
(2018年:第7458位 2件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第2668位 5件
(2018年:第1497位 12件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2019-535144 | シリコンオンインシュレータウェハの埋め込み酸化膜を溶解するための方法 | 2019年12月 5日 | |
特表 2019-528566 | 半導体構造を製作する方法 | 2019年10月10日 | |
特表 2019-527937 | ドナー基板から圧電層を剥離するための電界の使用 | 2019年10月 3日 | |
特表 2019-514202 | RF用途のための半導体オンインシュレータ基板 | 2019年 5月30日 | |
特表 2019-505991 | 加工基板 | 2019年 2月28日 | |
特表 2019-505995 | 埋め込みミラーを有する加工基板 | 2019年 2月28日 |
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2019-535144 2019-528566 2019-527937 2019-514202 2019-505991 2019-505995
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